Là tập hợp các quá trình quang hoá nhằm tạo ra các chi tiết trên bề mặt phiến silicon (wafer) có kích thước và hình dạng giống như thiết kế. Để làm được điều này cần phải có những bộ mặt nạ (mask), chất cảm quang (photoresist) nguồn sáng UV và dung dịch hiện hình (developer). Mặt nạ thường là một tấm thuỷ tinh hữu cơ được phủ một màng crôm trên đó khắc hoạ những chi tiết phù hợp với thiết kế của cảm biến hoặc mạch tích hợp (IC).

Bạn đang xem: Lithography là gì

*

2.Exposure to UV – Phơi sáng dưới tia cực tím• Các phần của wafer được chọn để phơi sáng (exposure) bằng cách cẩn thận căn chỉnh một mặt nạ (mask) giữa một nguồn ánh sáng cực tím (ultraviolet-UV light source) và wafer.• Trong các khu vực trong suốt của mặt nạ, ánh sáng đi qua và phơi chiếu lớp photoresist.Có 2 loại mực. Positive và negative photoresist.• negative – Tia UV làm cho negative resist bị polime hóa và khó hòa tan hơn.• positive – Tia UV làm thay đổi cấu trúc hóa học của resist để nó trở nên dễ hòa tan hơn trong thuốc hiện ảnh.Hiện tại Positive resists là loại được sử dụng chiếm ưu thế hơn. Loại positive thì phần bị che đi sẽ còn lại. Loại negative thì phần che đi sẽ bị tẩy mất. Trong khâu này thì độc nhất là chất photoresist vì nó có những loại solvent gây ra ung thư. Sau khâu này thì photoresist sẽ cứng lại hoặc không cứng lại tùy theo positive hay negative photoresist.

Xem thêm: đầu Tư Forex Là Gì – Tìm Hiểu Về Thị Trường Forex

*

Xem thêm: Sửa Lỗi Script Error – Cách Fix Và Trên Máy Tính Thành Công 100%

Mask:Mặt nạ là một tấm kính vuông với nhũ tương màng kim loại có hoa văn thường là màng crôm ở một bên. Một wafer cần rất nhiều mask, từ hàng trăm mask trở lên với các loại IC, hoặc một vài mask với transistor. Mỗi một bộ mask thì thường là gồm có vài chục đến vài trăm hình của một die (1 die sẽ là một IC). Mặt nạ được căn chỉnh với wafer, sao cho mẫu hình vẽ có thể được chuyển lên bề mặt wafer. Mỗi mặt nạ phải được căn chỉnh với tấm ở phía trước. Photoresist được phơi sáng (chụp) thông qua các mẫu hình trên mặt nạ với một tia cực tím cường độ cao.• Có ba phương pháp exposure chính: contact-tiếp xúc, proximity-lân cận và projection-chiếu.• Ưu điểm chính của phương pháp chiếu là mặt nạ có thể lớn hơn một chút so với mẫu cuối cùng và thông qua các thao tác quang học và cơ học, độ chính xác/độ phân giải tốt hơn có thể được đặt lên trên photoresist – Direct Wafer Stepping (DWS)

Chuyên mục: Hỏi Đáp